Laddar produkt...
Inga omdömen ännu
Samsung 9100 PRO – Brutal hastighet och prestanda När Samsung släpper ny PRO-modeller brukar det innebära att vi får en ny marknadsledare, och så ser fallet ut att bli även med nya 9100 PRO. Det här är NVMe-lagring med PCIe 5.0, som tack vare en ny och egenutvecklad kontroller ska kunna ge extrema hastigheter – utan värmeutvecklingen som hittills associerats med PCIe 5.0.Så snabb är Samsung 9100 PRO 9100 PRO har med sina upp till 14 800 och 13 400 MB/s klassledande läs- respektive skrivhastigheter, men nyckeln till att Samsung väldigt ofta är uppe i den absoluta toppen är deras suveräna allmänprestanda och bibehållna prestanda. Med slumpmässiga läs- och skrivhastigheter på upp till 2 200 respektive 2 600 K (IOPS, QD32), upp till 8 GB dedikerad cache (LPDDR4X) och rejält tilltagen buffrings-kapacitet (Intelligent TurboWrite 2.0) erbjuder 9100 PRO en suverän mix av allmänprestanda och möjlighet att föra över stora filer snabbt. Värmeproblem ett minne blott Hög energiförbrukning och enorm värmeutveckling är något som hittills satt käppar i hjulet för lagring med PCIe 5.0, där de flesta modeller vi sett hittills utrustats med enorma kylflänsar för att hålla temperaturerna inom kontroll – vissa till och med fläktar. Samsung har rått bot på det, med en ny och egenutvecklad kontroller som enligt dem gör 9100 PRO upp till 49% mer energieffektiv än vad 990 PRO är. Detta gör det möjligt att hålla koll på temperaturerna även med en relativt slimmad kylfläns. Alla modeller kommer erbjudas med förmonterad kylfläns, som är förvånansvärt slimmad för att vara PCIe 5.0. De med upp till 4 TB lagring är så pass små att de faller inom PCI-SIG D8 (8,8 mm tjocklek), vilket är en standard som används för dimensioner i många olika typer av enheter – däribland PS5, moderkort och många laptops. 8 TB-variantens kylfläns är något större, cirka 11,2 mm tjock, men kommer trots det passa i PS5 och på majoriteten av moderkort. Samsung 9100 PRO 1TB 2TB 4TB 8TB Interface PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0 PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0 PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0 PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0 Formfaktorr M.2 (2280) M.2 (2280) M.2 (2280) M.2 (2280) Minnestyp Samsung V NAND TLC (V8) Samsung V NAND TLC (V8) Samsung V NAND TLC (V8) Samsung V NAND TLC (V8) Controller In-House Controller In-House Controller In-House Controller In-House Controller Cache 1GB LPDDR4X 2GB LPDDR4X 4GB LPDDR4X 8GB LPDDR4X Läs-/skrivhastighet 14 700 / 13 300 MB/s 14 700 / 13 400 MB/s 14 800 / 13 400 MB/s 14 800 / 13 400 MB/s Random Read/Write (IOPS, QD32) 1 850K / 2 600K 1 850K / 2 600K 2 200K / 2 600K 2 200K / 2 600K Strömförbrukning (vid läsning/skrivning) 7.6W / 7.2W 8.1W / 7.9W 9.0W / 8.2W TBD Intelligent TurboWrite 2.0 114GB 226GB 442GB TBD Kryptering Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) Förväntad livslängd (TBW) 600 1,200 2,400 4,800 Garanti 5 år* 5 år* 5 år* 5 år* *Garantin gäller 5 år, eller tills att du överskridit den förväntade livslängden.
Våra AI-modeller analyserar produkten. Kom tillbaka senare!